原文網址：https://kknews.cc/tech/38qm5l8.html

何謂dielectric 蝕刻(介電質蝕刻)?

答：Oxide etch and nitride etch

半導體中一般介電質材質為何?

答：氧化矽/氮化矽

何謂濕式蝕刻?

答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除

何謂電漿Plasma?

答：電漿是物質的第四狀態.帶有正,負電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,

負離子,中性分子,活性基及發散光子等,產生電漿的方法可使用高溫或高電壓.

何謂乾式蝕刻?

答：利用plasma將不要的薄膜去除

何謂Under-etching(蝕刻不足)?

答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留

何謂Over-etching(過蝕刻 )

答：蝕刻過多造成底層被破壞

何謂Etch rate(蝕刻速率)

答：單位時間內可去除的蝕刻材料厚度或深度

何謂Seasoning(陳化處理)

答：是在蝕刻室的清凈或更換零件後，為要穩定製程條件，使用仿真（dummy）晶圓進行數次的蝕刻循環。

Asher的主要用途:

答：光阻去除

Wet bench dryer 功用為何?

答：將晶圓表面的水份去除

列舉目前Wet bench dry方法:

答：(1)Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry

何謂Spin Dryer

答：利用離心力將晶圓表面的水份去除

何謂Maragoni Dryer

答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除

何謂IPA Vapor Dryer

答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除

測Particle時,使用何種測量儀器?

答：TencorSurfscan

測蝕刻速率時,使用何者量測儀器?

答：膜厚計,測量膜厚差值

何謂AEI

答：After Etching Inspection 蝕刻後的檢查

AEI目檢Wafer須檢查哪些項目:

答：(1)正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及Particle (3)刻號是否正確

金屬蝕刻機台轉非金屬蝕刻機台時應如何處理?

答：清機防止金屬污染問題

金屬蝕刻機台asher的功用為何?

答：去光阻及防止腐蝕

金屬蝕刻後為何不可使用一般硫酸槽進行清洗?

答：因為金屬線會溶於硫酸中

"Hot Plate"機台是什么用途?

答：烘烤

Hot Plate 烘烤溫度為何?

答：90~120度C

何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體?

答：Cl2, HBr, HCl

用於Al 金屬蝕刻的主要氣體為

答：Cl2, BCl3

用於W金屬蝕刻的主要氣體為

答：SF6

何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體?

答：C4F8, C5F8, C4F6

硫酸槽的化學成份為:

答：H2SO4/H2O2

AMP槽的化學成份為:

答：NH4OH/H2O2/H2O

UV curing 是什么用途?

答：利用UV光對光阻進行預處理以加強光阻的強度

"UV curing"用於何種層次?

答：金屬層

何謂EMO?

答：機台緊急開關

EMO作用為何?

答：當機台有危險發生之顧慮或已不可控制,可緊急按下

濕式蝕刻門上貼有那些警示標示?

答：(1)警告.內部有嚴重危險.嚴禁打開此門

(2) 機械手臂危險. 嚴禁打開此門 

(3) 化學藥劑危險. 嚴禁打開此門遇

化學溶液泄漏時應如何處置?

答：嚴禁以手去測試漏出之液體. 應以酸鹼試紙測試. 並尋找泄漏管路.

遇IPA 槽著火時應如何處置??

答：立即關閉IPA輸送管路並以機台之滅火器滅火及通知緊急應變小組

BOE槽之主成份為何?

答：HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨).

BOE為那三個英文字縮寫 ?

答：Buffered Oxide Etcher 。

有毒氣體之閥櫃(VMB)功用為何?

答：當有毒氣體外泄時可利用抽氣裝置抽走,並防止有毒氣體漏出

電漿的頻率一般13.56MHz,為何不用其它頻率?

答：為避免影響通訊品質,目前只開放特定頻率,作為產生電漿之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等

何謂ESC (electrical static chuck)

答：利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板(Substrate) 上

Asher主要氣體為

答：O2

Asher機台進行蝕刻最關鍵之參數為何?

答：溫度

簡述TURBOPUMP 原理

答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR

熱交換器(HEATEXCHANGER)之功用為何？

答：將熱能經由介媒傳輸,以達到溫度控制之目地

簡述BACKSIDEHELIUM COOLING之原理？

答：藉由氦氣之良好之熱傳導特性,能將晶片上之溫度均勻化

ORIENTER 之用途為何？

答：搜尋notch邊,使晶片進反應腔的位置都固定,可追蹤問題

簡述EPD之功用

答：偵測蝕刻終點;End point detector利用波長偵測蝕刻終點

何謂MFC？

答：massflow controler氣體流量控制器;用於控制反應氣體的流量

GDP 為何?

答：氣體分配盤(gas distribution plate)

GDP 有何作用？

答：均勻地將氣體分布於晶片上方

何謂isotropic etch?

答：等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率均等

何謂anisotropic etch?

答：非等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率少

何謂etch 選擇比?

答：不同材質之蝕刻率比值

何謂AEI CD?

答：蝕刻後特定圖形尺寸之大小,特徵尺寸(Critical Dimension)

何謂CD bias?

答：蝕刻CD 減 蝕刻前黃光CD

簡述何謂田口式實驗計劃法?

答：利用混合變因安排輔以統計歸納分析

何謂反射功率?

答：蝕刻過程中,所施予之功率並不會完全地被反應腔內接收端所接受,會有部份值反射掉,

此反射之量,稱為反射功率

Load Lock 之功能為何?

答：Wafers經由loadlock後再進出反應腔,確保反應腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響.

廠務供氣系統中何謂Bulk Gas ?

答：Bulk Gas 為大氣中普遍存在之製程氣體, 如 N2, O2, Ar 等.

廠務供氣系統中何謂Inert Gas?

答：Inert Gas 為一些特殊無強烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.

廠務供氣系統中何謂Toxic Gas ?

答：Toxic Gas 為具有強烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.

機台維修時,異常告示排及機台控制權應如何處理?

答：將告示牌切至異常且將機台控制權移至維修區以防有人誤動作

冷卻器的冷卻液為何功用 ?

答：傳導熱

Etch之廢氣有經何種方式處理 ?

答：利用水循環將廢氣溶解之後排放至廢酸槽

何謂RPM?

答：即Remote Power Module,系統總電源箱.

火災異常處理程序

答：(1)立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下EMO停止機台. 

(4) 關閉 VMB Valve 並通知廠務. (5) 撤離.

一氧化碳(CO)偵測器警報異常處理程序

答：(1)警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. 

(3) 立即關閉VMB 閥,並通知廠務. (4) 進行測漏.

高壓電擊異常處理程序

答：(1)確認安全無慮下,按 EMO鍵(2) 確認受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3)處理受傷人員

T/C (傳送Transfer Chamber) 之功能為何 ?

答：提供一個真空環境, 以利機器手臂在反應腔與晶舟間傳送Wafer,節省時間.

機台PM時需佩帶面具否

答：是,防毒面具

機台停滯時間過久run貨前需做何動作

答：Seasoning(陳化處理)

何謂日常測機

答：機台日常檢點項目, 以確認機台狀況正常

何謂 WAC (Waferless Auto Clean)

答：無wafer自動干蝕刻清機

何謂Dry Clean

答：干蝕刻清機

日常測機量測etch rate之目的何在?

答：因為要蝕刻到多少厚度的film,其中一個重要參數就是蝕刻率

操作酸鹼溶液時,應如何做好安全措施?

答：(1)穿戴防酸鹼手套圍裙安全眼鏡或護目鏡

(2)操作區備有清水與水管以備不時之需

(3) 操作區備有吸酸棉及隔離帶

如何讓chamber達到設定的溫度?

答：使用heater 和 chiller

Chiller之功能為何?

答：用以幫助穩定chamber溫度

如何在chamber建立真空?

答：(1) 首先確立chamber parts組裝完整

(2) 以dry pump作第一階段的真空建立

(3) 當圧力到達100mTＤ寺再以turbo pump 抽真空至1mT以下

真空計的功能為何?

答：偵測chamber的壓力,確保wafer在一定的壓力下process

Transfer module 之robot 功用為何?

答：將wafer傳進chamber與傳出chamber之用

何謂MTBC? (Mean Time Between Clean)

答：上一次wet clean 到這次wet clean 所經過的時間

RF Generator 是否需要定期檢驗?

答：是需要定期校驗;若未校正功率有可能會變化;如此將影響電漿的組成

為何需要對etch chamber溫度做監控?

答：因為溫度會影響製程條件;如etching rate/均勻度

為何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)?

答：因為氣壓若太大會造成pump負荷過大;造成pump 跳掉,影響chamber的壓力,

直接影響到run貨品質

為何要做漏率測試? (Leak rate )

答：

(1) 在PM後PUMP Down 1~2小時後;為確保chamber Run 貨時,無大氣進入chamber 影響chamber GAS 成份

(2) 在日常測試時,為確保chamber內來自大氣的泄漏源,故需測漏

機台發生Alarm時應如何處理?

答：(1)若為火警,立即圧下EMO(緊急按鈕),並滅火且通知相關人員與主管(2)若是一般異常,請先檢查alarm訊息再判定異常原因,進而解決問題,若未能處理應立即通知主要負責人

蝕刻機台廢氣排放分為那幾類?

答：一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放

蝕刻機台使用的電源為多少伏特(v)?

答：208V三相

乾式蝕刻機台分為那幾個部份?

答：(1) Load/Unload 端 

(2) Transfer module 

(3) Chamber process module 

(4) 真空系統

(5) GAS system 

(6) RF system

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何謂PIE? PIE的主要工作是什么?

答：Process Integration Engineer (製程整合工程師), 主要工作是整合各部門的資源, 對工藝持續進行改善, 確保產品的良率（yield）穩定良好。

工廠中矽片（wafer）的製造過程可分哪幾個工藝過程(module)？

答：主要有四個部分：DIFF（擴散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蝕）。

其中DIFF又包括FURNACE(爐管)、WET(濕刻)、IMP(離子 注入)、RTP(快速熱處理)。

TF包括PVD(物理氣相澱積)、CVD(化學氣相澱積) 、CMP(化學機械研磨)。

矽片的製造就是依據客戶的要求，不斷的在不同工藝過程（module）間重複進行的生產過程，最後再利用電性的測試，確保產品良好。

一般矽片的製造常以幾P幾M 及光罩層數(mask layer)來代表矽片工藝的時間長短，請問幾P幾M及光罩層數(mask layer)代表什么意義？

答：幾P幾M代表矽片的製造有幾層的Poly(多晶矽)和幾層的metal(金屬導線).一般0.15um 的邏輯產品為1P6M( 1層的Poly和6層的metal)。而光罩層數（mask layer）代表矽片的製造必需經過幾次的PHOTO（光刻）.

STI 是什么的縮寫? 為何需要STI?

答：STI: Shallow Trench Isolation(淺溝道隔離)，

STI可以當做兩個組件（device）間的阻隔, 避免兩個組件間的短路.

在STI的刻蝕工藝過程中，要注意哪些工藝參數？

答：①STI etch（刻蝕）的角度；

②STI etch 的深度；

③STI etch 後的CD尺寸大小控制。

(CD control, CD=critical dimension)

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何謂Spacer? Spacer蝕刻時要注意哪些地方？

答：在柵極(Poly)的兩旁用dielectric（介電質）形成的側壁，主要由Ox/SiN/Ox組成。

蝕刻spacer 時要注意其CD大小，profile(剖面輪廓)，及remain oxide(殘留氧化層的厚度)

Spacer的主要功能?

答：①使高濃度的源/漏極與柵極間產生一段LDD區域;

②作為Contact Etch時柵極的保護層。

LDD是什么的縮寫? 用途為何?

答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用較低濃度的源/漏極, 以防止組件產生熱載子效應的一項工藝。

一般金屬層(metal layer)的形成工藝是採用哪種方式?大致可分為那些步驟?

答：① PVD (物理氣相澱積) Metal film 沉積

② 光刻(Photo)及圖形的形成；

③ Metal film etch 及plasma(等離子體)清洗

（此步騶為連序工藝，在同一個機台內完成，其目的在避免金屬腐蝕）

④ Solvent光刻膠去除。

工藝流程結束後有一步驟為WAT，其目的為何?

答：WAT (Wafer Acceptance Test), 是在工藝流程結束後對晶片做的電性測量，用來檢驗各段工藝流程是否符合標準。（前段所講電學參數Idsat, Ioff, Vt, Vbk(breakdown), Rs, Rc就是在此步驟完成）

當WAT量測到異常是要如何處理?

答：① 查看WAT機台是否異常,若有則重測之

② 利用手動機台Double confirm

③ 檢查產品是在工藝流程製作上是否有異常記錄

④ 切片檢查

PIE工程師每天來公司需要Check哪些項目(開門五件事)?

答：① Check MES系統, 察看自己Lot情況

② 處理in line hold lot.(defect, process, WAT)

③ 分析匯總相關產品in line數據.(raw data & SPC)

④ 分析匯總相關產品CP test結果

⑤ 參加晨會, 匯報相關產品信息

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什么是WPH? 如何衡量 WPH ?

答：WPH(wafer per hour) 機台每小時之晶片產出量
答：WPH 值愈大,表示其機台每小時之晶片產出量高,速度快

Stage 和 step 的關係?

答： 同一製程目的的step合起來稱為一個stage; 例如爐管製程長oxide的stage, 

通常要經過清洗,進爐管,出爐管量測厚度3道step

什么是 T/R?

答：Turn Ratio, 晶片之移動速度; 即1天內移動了幾個製程stage

AMHS名詞解釋?

答：Automation Material Handling System; 生產線大部份的lot是透過此種自動傳輸系統來運送

OHS名詞解釋?

答：Over Head Shuttle of AMHS (在AMHS軌道上傳送FOUP的小車)

MES名詞解釋?

答：Manfaucture Execution System; 即製造執行系統; 該系統掌握生產有關的信息,簡述幾項重點如下

(1) 每一類產品的生產step內容/規格/限制

(2) 生產線上所有機台的可使用狀況;如可run那些程序,實時的機台狀態(可用/不可用)

(3) 每一產品批的基本資料與製造過程中的所有數據

(在那些機台上run過/量測結果值/各step的時間點/誰處理過/過程有否工程問題批註…等

(4) 每一產品批現在與未來要執行的step等資料

EAP名詞解釋?

答：(1) Equipment Automation Program;機台自動化程序;

(2) 一旦機台有了EAP,此系統即會依據LOT ID來和MES與機台做溝通反饋及檢查, 完成機台進貨生產與出貨的動作;另外大部份量測機台亦可做到自動收集量測資料與反饋至後端計算機的自動化作業

為什么EAP可以減少人為操作的錯誤

答：(1) 避免機台RUN錯貨 (2) 避免RUN錯機台程序

為什么EAP可以改善產品的良率?

答：(1) 在Phot/Etch/CMP區中,可自動微調製程參數 

(2) 當機台alarm時,可以自動hold 住貨 

(3) 當lot內片數與MES系統內的片數帳不符合時,可自動hold 住貨

Wafer Scrap規定?

答：Wafer由工程部人員判定機台、製程、製造問題，已無法或無必要再進行後續製程時，

則於當站予以報廢繳庫，Wafer Scrap時請填寫「Wafer Scrap處理單」

何謂Hold Lot?

答：晶片需要停下來做實驗或產品有問題需工程師判斷時的短暫停止則需HOLD LOT;

帳點上的狀態為Hold,如此除非解決hold住的原因否則無法繼續run貨

何謂MONITOR?

答：對機台進行定期的檢測或是隨產品出機台時的檢測稱之為MONITOR，如測微粒子、厚度等

控片的目的是什么?(Control wafer)

答：為了解機台未來的run貨結果是否在規格內,必須使用控片去試run,並量測所得結果如厚度,平坦度,微粒數…控片使用一次就要進入回收流程。

在機台當機處理完後;交回製造部時應掛何種STATUS?

答：WAIT_MFG (WMFG)